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无锡普天科技有限公司
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FU3092CA大功率金属陶瓷三极管BW1185J2、YD1212、ITK90-1
品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:FU3092CA、BW1185J2、YD1212、ITK90-1 应用范围:振荡 功率特性:大功率 频率特性:高频 极性:PNP型 结构:面接触型 材料:锗(Ge) 封装形式:功率型 封装材料:金属封装 截止频率fT:30(MHz) 集电极耗散功率PCM:1200000(W) 营销方式:厂家直销 产品性质:新品
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国产7T85 7T69 7T62电子管
是否提供加工定制:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:7T85 7T69 7T62电子管 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:380(V) 集电极允许电流ICM:--(A) 集电极耗散功率PCM:2000-5000(W) 截止频率fT:21-120(MHz) 结构:扩散型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装
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FU-22S玻璃三极管
是否提供加工定制:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:FU-22S 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:--(V) 集电极允许电流ICM:160(A) 集电极耗散功率PCM:30000(W) 截止频率fT:30(MHz) 结构:扩散型 封装形式:直插型 封装材料:玻璃封装
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FU7069F金属陶瓷三极管
品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:VC7T69/7T69RB、FU7069F 应用范围:振荡 功率特性:大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 结构:扩散型 材料:硅(Si) 封装形式:功率型 封装材料:金属封装 截止频率fT:110(MHz) 集电极允许电流ICM:12(A) 集电极耗散功率PCM:4500(W)
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FU1608C、BW1608J2F大功率金属陶瓷三极管
品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:FU1608C、BW1608J2F 应用范围:振荡 功率特性:大功率 频率特性:超高频 极性:NPN型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:功率型 封装材料:金属封装 截止频率fT:30(MHz) 集电极耗散功率PCM:500000(W)
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RS3060CJ射频烘干机电子管
是否提供加工定制:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:RS3060CJ射频烘干机电子管 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) 极性:NPN型 击穿电压VCBO:--(V) 集电极耗散功率PCM:1200000(W) 截止频率fT:100(MHz) 结构:扩散型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装
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FC-7815型微波三*电子管
**:否 品牌/商标:GTVAC 型号/规格:FC-7815型微波三*电子管 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) *性:PNP型 击穿电压VCEO:10000(V) 集电*允许电流ICM:20(A) 集电*耗散功率PCM:2000(W) 截止频率fT:3000(MHz) 结构:扩散型 封装形式:功率型 封装材料:陶瓷封装
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RS3021CJ型金属陶瓷结构功率三*管
**:否 品牌/商标:德森克、GTVAC 型号/规格:RS3021CJ型 应用范围:振荡 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCEO:14000(V) 集电*允许电流ICM:135(A) 集电*耗散功率PCM:20000(W) 截止频率fT:120(MHz) 结构:扩散型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装
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高周波振荡电子管(7092,6T40,6T50,6T51)
是否提供**:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:7092,6T40,6T50,6T51 应用范围:振荡 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:1000(V) 集电*允许电流ICM:10(A) 集电*耗散功率PCM:2000(W) 截止频率fT:1200(MHz) 结构:点接触型 封装形式:功率型 封装材料:玻璃封装
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9T94A型电子管
品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:9T94A型 应用范围:振荡 材料:硅(Si) *性:N/P型 击穿电压VCBO:14000(V) 集电*允许电流ICM:330(A) 集电*耗散功率PCM:170000(W) 截止频率fT:25(MHz) 结构:扩散型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装
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FU-824F型电子管
是否提供**:否 品牌/商标:GTVAC、华光、三乐、景光 型号/规格:FU-824F型 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) *性:PNP型 击穿电压VCBO:380(V) 集电*耗散功率PCM:5000(W) 截止频率fT:7.5(MHz) 结构:扩散型 封装形式:直插型 封装材料:金属封装
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833A电子管
是否提供**:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:833A、FU-33 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) *性:PNP型 击穿电压VCBO:--(V) 集电*耗散功率PCM:1200(W) 截止频率fT:30(MHz) 结构:扩散型 封装形式:功率型 封装材料:玻璃封装
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6T51、6T58RA、7T62RE、7T69RB
**:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:6T51、6T58RA、7T62RE、7T69RB、7T85RB、8T25、8T85、9T94、FU-834F 应用范围:振荡 材料:锗(Ge) *性:PNP型 击穿电压VCEO:10000(V) 集电*允许电流ICM:100(A) 集电*耗散功率PCM:200000(W) 截止频率fT:100(MHz) 结构:扩散型 封装形式:功率型 封装材料:金属封装
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Electron Tube Transistor 5867A、TB3/750、TY4-400、RS-
**:否 品牌/商标:GTVAC、德森克 型号/规格:5867A、TB3/750、TY4-400、RS-1026 应用范围:振荡 材料:硅(Si) *性:NPN型 集电*耗散功率PCM:700(W) 截止频率fT:100(MHz) 结构:扩散型 封装形式:直插型 封装材料:玻璃封装